作者:材料与光…
（材料与光电物理学院学生记者 杨莉莉 王蔚）10月13日下午，南山七阶座无虚席。应材料与光电物理学院之邀电子科技大学谢孟贤教授作了一场题为“集成电路的发展”的精彩报告。
谢孟贤教授首先概述了微电子技术的主流是集成电路这一观点，既而谢教授重点介绍了集成电路的发展规律。他指出，集成电路正向着高频率，高速度，高集成度的方向发展。同时，谢教授也提出因寻着这样的总趋势，集成电路的重点也就在于缩小特征尺寸和提高迁移率上。而迁移率的提高又在于有效质量等因素，谢教授就此介绍了MOD异质结技术（MODFET），应变Si-SiGe技术（SSMOSFET）。
谢孟贤教授：博导，1962年夏毕业于成都电讯工程学院（现电子科技大学）半导体专业，同年秋留校任教。1980年春赴日本东北大学留学2年，1988年晋升为教授。曾任电子科技大学微电子科学与工程系主任；曾获电子部科技进步二等奖2项，国家“八五”攻关重大项目科技成果奖一项；先后在国内外重要学术刊物上发表了论文30余篇。
